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帕特•基辛格:45nm工艺使得处理器性能大幅提高

发布时间:2007-11-16 19:32:00 来源:比特网 作者:王允
关键字:CPU 价格 新闻 英特尔

    比特网ChinaByte11月16日消息(王允) 2007年11月16下午两点半,在一段简短而精彩的视频过后,英特尔45nm技术及新产品新闻发布会在北京798工厂盛大开幕。英特尔公司销售与市场营销事业部副总裁兼中国大区总经理杨叙先生、英特尔公司高级副总裁兼数字企业事业部(DEG)联合总经理帕特•基辛格先生以及英特尔各软硬件合作伙伴等人参加了此次发布会并做了演讲。英特尔公司高级副总裁兼数字企业事业部(DEG)联合总经理帕特•基辛格先生在揭开45nm芯片真实面貌后向来宾们进行了精彩的主题演讲。

    在演讲中,基辛格先生提到:“通过High-K技术不仅仅是使晶体管的尺寸变小了,而且它的切换速度能够提高一倍。如果没有High-K的技术,门栅漏电的数量是没有办法减少的,甚至会增加。我们的这些层是越来越薄,比如说在65纳米的时候,5、6、7个原子之间的距离,有了High-K的门栅之后,我们就可以进一步减小它的距离,而且在漏电方面可以减少差不多100倍。”在这些数字的背后是英特尔创新动力的支持。


英特尔公司高级副总裁兼数字企业事业部(DEG)联合总经理帕特•基辛格先生

    “Intel长期以来一直是微处理器方面的领先者”,他接着说道,“Pernyn有非常好的性能,甚至是近几十年最好的,芯片技术是我们所做的事情的核心,每两年就能够推出新一代的硅制程技术,这种持续的技术推进,从180纳米到130纳米到65纳米、是我们不断推进的。”言语之间,充满了身为对英特尔人的自豪。

    参加此次发布会的有英特尔各个软硬件厂商,以及来自全国的数百家媒体。


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