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英特尔、美光联合打造32GB NAND闪存芯片

出处:比特网论坛整理 作者:alex 2008-06-02 09:37 评论
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上周四,芯片巨头英特尔联合美光科技公司宣称,未来二者将共同开发基于34纳米技术的32GBNAND闪存芯片。

  上周四,芯片巨头英特尔联合美光科技公司宣称,未来二者将共同开发基于34纳米技术的32GBNAND闪存芯片。分析人士认为,这一芯片产品问世将使大容量固态硬盘价格进一步下降。

  英特尔公司表示,新款闪存芯片将采用300毫米晶圆片制造,是目前最先进的闪存芯片制造技术。未来每个装置提供的储存容量能够达到1.6TB。

  英特尔表示,这一产品原型将在今年6月推出,预计实现量产要等到下半年。

  据英特尔称,在配置一个32GBNAND芯片的便携式存储设备上,能够存储超过2000张高分辨率的照片或1000首MP3音乐。

  英特尔NAND产品部门市场营销主管PeteHanzen表示,英特尔将在未来的产品中使用这一芯片,但尚未透露具体细节。早在今年三月份,英特尔曾表示将在2008年中期推出1.8英寸和2.5英寸的固态硬盘,用于其存储容量在80GB-160GB笔记本电脑。

  市场分析人士预测,随着固态硬盘价格持续下滑,未来其在企业中的普及程度将得到加速,尽管固态硬盘的可靠性受到质疑,但与传统硬盘相比,但其低功耗、读写速度快等明显优势,却被广告用户所认同。

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