性能提升20% 中芯国际第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段

作者:贾桂鹏 来源:原创 2020-09-22

  近日,有投资者向中芯国际求证中芯关于下一代芯片量产的消息,中芯国际回复称,他们第二代FinFET N+1已经进入到客户导入阶段,有望于2020年底进行小批量试产。

性能提升20% 中芯国际第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段

  中芯国际于2019年实现国内最先进的14nm工艺制程量产,并已经为华为麒麟710A芯片等进行代工。

  此前,在今年6月份,中芯国际表示,14nm晶圆代工的产能已处于初步布局阶段,全球市场占有率还相对较低,但第一代14nm FinFET技术已经进入到量产阶段,而且技术处于国际领先水准,且具有一定性价比,目前已经与众多客户签订协议,展开合作,预计产能利用率可以稳定在较高的水平。

  此外,针对于下一代技术节点的开发,中芯国际表示第二代FinFET技术已经进入客户导入阶段,此前代技术相比,二代FinFET技术在性能上有20%的提升,功耗降低月7%,面积缩小63%。

  据悉,中芯国际14nm以及更先进工艺将会用于5G、人工智能、智能驾驶、高性能计算等领域中。

  据了解,中芯国际12英寸芯片SN1项目是中国内地第一条14nm及以下先进工艺生产线,其最大月产能可达到3.5万片晶圆,目前已经建成月产能6000片。

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