(2006年1月12日，日本东京和纽约ARMONK讯)IBM、索尼和东芝日前宣布，由这3家公司组成的联合技术开发联盟已经进入到一个新的5年发展阶段。
组成这一广泛的半导体研究和开发联盟的3家公司将合作进行与32纳米及更高级技术相关的基础研究。该协议将促成这3家公司更加迅速地研究和确定相关的新技术并实现这些技术的商业化，满足消费者和其它应用的需求。
在过去的5年中，索尼公司、索尼计算机娱乐公司、东芝公司和IBM协作完成了“Cell”微处理器的设计以及支持该处理器的90纳米和65纳米基础绝缘硅(silicon-on-insulator)加工技术。
东芝公司下属的半导体公司总裁兼首席执行官Masashi Muromach表示：“这是一个多赢的组合。利用东芝领先的加工技术和制造能力、索尼多样化的半导体技术和对消费者市场的深入了解以及IBM先进的材料技术，我们可以抢先实现突破性的32纳米及更高级的工艺。东芝公司将通过这些进步确保自己在先进工艺技术领域的领导地位，并加速开发‘无处不在的连接(ubiquitous connectivity)’时代所需的各种关键设备。”
索尼公司执行副总裁和总经理并同时兼任索尼公司下属半导体业务单位总裁的Kenshi Manabe表示：“IBM、索尼和东芝扩大在基础研究领域的合作关系是非常有前途的。这一联合开发计划将对可能的技术、设备结构、创新材料和特殊加工工具进行详细的可行性研究，进而在此基础上缩短从基础研究到商业化的周期。”
IBM系统与科技事业部半导体研究和开发中心副总裁Lisa Su表示：“通过将这种关系扩展到下一代工艺技术并深化我们在研究领域的合作，我们认为将可以加快重大技术的进步。”
相关的研究和开发工作将在IBM设在纽约Yorktown Heights的Thomas J. Watson研究中心、Albany纳米技术半导体研究中心以及IBM设在East Fishkill的300毫米(晶圆)制造工厂进行。
