可用于7nm/5nm 三星公布全新3D芯片封装技术

作者:贾桂鹏 来源:原创 2020-08-13

  近日,在Intel、台积电纷纷推出3D芯片封转技术后,三星也宣布他们的3D芯片封装技术——X-Cube,该技术主要基于TSV硅穿孔技术,可以将不同芯片堆叠起来,目前,已经可以用于7nm和5nm制程工艺。

可用于7nm/5nm 三星公布全新3D芯片封装技术

  现在,芯片都是2D平面堆叠的,但随着芯片数量增多,占用的面积也会越来越大,这将不利于提高集成度,所以,各个芯片制造厂商就推出了3D芯片封装技术。

  三星的3D封装技术叫做X-Cube,它基于TSV硅穿孔技术将不同芯片堆叠,该技术可以将SRAM芯片堆叠到芯片上方,释放占用空间,可以堆栈更多内存芯片。

可用于7nm/5nm 三星公布全新3D芯片封装技术

  除此之外,TSV硅穿孔技术还可以大幅缩短芯片之间的信号距离,提高数据传输速度,降低功耗,并且,客户还可以按需定制内存带宽及密度。

  据了解,该技术将主要应用于最前沿的5G、AI、AR、HPC、移动芯片等领域中。

  此前,Intel和台积电公布的3D封装技术很相似,只是具体的实现方法略有不同,其中,Intel的3D封装叫做Foveros,已经在Lakefield芯片上进行了应用,主要集成10nm CPU和22nm IO核心。

  至此,在三星推出X-Cube之后,全球主要的三家半导体芯片制造厂商均拥有3D或2.5D的封装技术。

发布
X
第三方账号登录
  • 微博认证登录
  • QQ账号登录
  • 微信账号登录